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3LN01C-TB-H

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：3-CP
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：0.696
  • 類型：FET - 單
  • PDF：3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    150mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    3.7 歐姆 @ 80mA，4V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    1.58nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    7pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    250mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

  • 產(chǎn)品描述備注

特價(jià)專區(qū)

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