IRF1010NSTRLPBF
帶卷 (TR) 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
55V
85A (Tc)
11 毫歐 @ 43A,10V
4V @ 250μA
120nC @ 10V
3210pF @ 25V
180W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK