IRF5801TRPBF
帶卷 (TR) 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
200V
600mA (Ta)
2.2 歐姆 @ 360mA,10V
5.5V @ 250μA
3.9nC @ 10V
88pF @ 25V
2W
表面貼裝
6-TSOP(0.059",1.50mm 寬)
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP