IRF630NSTRLPBF
帶卷 (TR) 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
200V
9.3A (Tc)
300 毫歐 @ 5.4A,10V
4V @ 250μA
35nC @ 10V
575pF @ 25V
82W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK