IRF9Z34NSTRLPBF
帶卷 (TR) 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET P 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
55V
19A (Tc)
100 毫歐 @ 10A,10V
4V @ 250μA
35nC @ 10V
620pF @ 25V
3.8W
表面貼裝
TO-263-3,D2Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK