IRFR9N20DTRPBF
帶卷 (TR) 可替代的包裝
HEXFET?
MOSFET N 通道,金屬氧化物
標準
200V
9.4A (Tc)
380 毫歐 @ 5.6A,10V
5.5V @ 250μA
27nC @ 10V
560pF @ 25V
86W
表面貼裝
TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK